二氧化钽
XRD results show that the anatase phase of titanium dioxide films can be fabricated at 400 ℃, and at this temperature, the deposited tantalum oxide and silicon dioxide were amorphous.
对制备的薄膜进行XRD测试表明,在基片温度为400℃时能制备出TiO2薄膜晶体,结构为锐钛矿型,而在此温度下,SiO2和Ta2O5却只能得到非晶态的结构。
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